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DS1230芯片解密

深圳市鹏芯集成电路芯片解密中心专业从事IC解密、MCU单片机解密、DSP芯片解密、CPLD芯片解密、FPGA芯片解密等技术研究,依靠实力强大的技术队伍、专业过硬的研发团队,能为客户提供权威品质的芯片解密服务,并有庞大的芯片、设备代理生产工厂,能够最大限度的为客户争取最广泛的利益。                            

  DS1230芯片解密 概述:
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配,可直接替换并增强其性能。小尺寸模块封装的DS1230器件专为表面贴装应用设计。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。                                                       DS1230特性:                                                                 
•在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  •掉电期间数据被自动保护
  •替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
  •没有写次数限制
  •低功耗CMOS操作
  •70ns的读写存取时间
  •第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  •±10% VCC工作范围(DS1230Y)
  •可选择±5% VCC工作范围(DS1230AB)
  •可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  •JEDEC标准的28引脚DIP封装
  •PowerCap模块(PCM)封装
  •表面贴装模块
  •可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
  •所有非易失SRAM器件提供标准引脚
  •分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
  针对DS1230芯片解密等DALLAS系列单片机解密,深圳市鹏芯芯片解密中心已经取得成功,在多次反复实验和不断的技术突破中,我们已经将DALLAS系列单片机解密周期降到最短,DALLAS芯片解密也成本相对降低,且在单片机解密可靠性、成功率、高效性、准确性等方面也得到很大提高。

 

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