当前位置:IC解密> 资料下载 > 浏览正文
线路板D/F工艺讲义
线路板D/F工艺讲义
流程:
磨板→贴膜→曝光→显影
一、磨板
1、表面处理 除去铜表面氧化物及其它污染物。
a. 硫酸槽配制 H2SO4 1-3%(V/V)。
b. 酸洗不低于10S。
2、 测试磨痕宽度 控制范围10-15mm,磨痕超过15mm会出现椭圆孔或孔口边沿无铜,一般控制10-12mm为宜。
3、水磨试验 每日测试水膜破裂时间≥15s,试验表明,在相同条件下磨痕宽度与水膜破裂时间成正比。
4、磨板控制 传送速度1.2-2.5M/min,间隔1",水压1.0-1.5bar,干燥温度70-90℃。
二、干膜房
1、干膜房洁净度10000级以上。
2、温度控制20-24°C,超出此温度范围容易引起菲林变形。
3、湿度控制60-70%,超出此温度范围也容易引起菲林变形。
4、工作者每次进入干膜房必须穿着防尘服及防尘靴风淋15-20s。
三、贴膜
1、贴膜参数控制
a. 温度100-120°C,精细线路控制115-120°C,一般线路控制105-110°C,粗线路控制100-105°C。
b. 速度<3M/min。
c. 压力30-60Psi,一般控制40Psi左右。
2、注意事项
a. 贴膜时注意PCB板面温度应保持38-40°C,冷板贴膜会影响干膜与PCB板面的粘接性。
b. 贴装前须检查PCB板面是否有杂物、板边是否光滑等,若板边毛刺过大会划伤贴膜胶辊,影响使用寿命。
c. 在气压不变情况下,温度较高时可适当加快传送速度,较低时可适当减慢传送速度,否则会出现皱膜或贴膜不牢,图形电镀时易产生渗镀。
d. 切削干膜(手动贴膜机)时用力均匀,保持切边整齐,否则显影后出现菲林碎等缺陷。
e. 贴膜后须冷却至室温后方可进行曝光。
四、曝光
1、光能量
a.光能量(曝光灯管5000W)上、下灯控制40-100毫焦/平方厘米,用下晒架测试上灯,上晒架测试下灯。
b.曝光级数7-9级覆铜(Stoffer 21级曝光尺),一般控制8级左右,但此级数须显影后才能反映出来,因此对显影控制要求较严。
2、真空度大于69CMHG,否则易产生虚光线细现象。
3、赶气,赶气须在真空度大于69CMHG以上且赶气力度要均匀,否则会产生焊盘与孔位偏移,造成崩孔现象。
4、曝光,曝光时轻按快门,曝光停止后须立即取出板件,否则灯内余光长时间曝光,造成显影后出现PCB板面余胶。
五、显影参数控制
1、温度30±2℃。
2、Na2CO3浓度 1±0.2%
3、喷淋压力 1.5-2.0kg/cm2
4、水洗压力 1.5-2.0kg/cm2
5、干燥温度 45~55℃
6、传送速度 显影点50±5%控制
六、重氮片
1、重氮片曝光:5000W曝光灯管,曝光能量:21级曝光尺1~2格透明。
2、重氮片显影:20%氨水、温度控制48~65℃,显影3-7次至线路呈深棕色为止。
3、影响重氮片质量因素及防止
a. 线细
①由光反射及衍射造成;可用纯黑色不反光平底板垫于重氮片下进行曝光消除此现象。
②曝光能量过强;适当降低曝光能量。
b. 显影后出现斑点(俗称鬼影)曝光能量不足,适当延长曝光时间。
c. 颜色偏淡 由以下因素构成
①温度不够;待调整温度升至范围值再显影。
②氨水过期,浓度降低,更换氨水。
③显影时间太短;重新显影2-3遍。
④重氮片曝光后放置时间较长;线路部分已曝光,废弃重做。
流程:
磨板→贴膜→曝光→显影
一、磨板
1、表面处理 除去铜表面氧化物及其它污染物。
a. 硫酸槽配制 H2SO4 1-3%(V/V)。
b. 酸洗不低于10S。
2、 测试磨痕宽度 控制范围10-15mm,磨痕超过15mm会出现椭圆孔或孔口边沿无铜,一般控制10-12mm为宜。
3、水磨试验 每日测试水膜破裂时间≥15s,试验表明,在相同条件下磨痕宽度与水膜破裂时间成正比。
4、磨板控制 传送速度1.2-2.5M/min,间隔1",水压1.0-1.5bar,干燥温度70-90℃。
二、干膜房
1、干膜房洁净度10000级以上。
2、温度控制20-24°C,超出此温度范围容易引起菲林变形。
3、湿度控制60-70%,超出此温度范围也容易引起菲林变形。
4、工作者每次进入干膜房必须穿着防尘服及防尘靴风淋15-20s。
三、贴膜
1、贴膜参数控制
a. 温度100-120°C,精细线路控制115-120°C,一般线路控制105-110°C,粗线路控制100-105°C。
b. 速度<3M/min。
c. 压力30-60Psi,一般控制40Psi左右。
2、注意事项
a. 贴膜时注意PCB板面温度应保持38-40°C,冷板贴膜会影响干膜与PCB板面的粘接性。
b. 贴装前须检查PCB板面是否有杂物、板边是否光滑等,若板边毛刺过大会划伤贴膜胶辊,影响使用寿命。
c. 在气压不变情况下,温度较高时可适当加快传送速度,较低时可适当减慢传送速度,否则会出现皱膜或贴膜不牢,图形电镀时易产生渗镀。
d. 切削干膜(手动贴膜机)时用力均匀,保持切边整齐,否则显影后出现菲林碎等缺陷。
e. 贴膜后须冷却至室温后方可进行曝光。
四、曝光
1、光能量
a.光能量(曝光灯管5000W)上、下灯控制40-100毫焦/平方厘米,用下晒架测试上灯,上晒架测试下灯。
b.曝光级数7-9级覆铜(Stoffer 21级曝光尺),一般控制8级左右,但此级数须显影后才能反映出来,因此对显影控制要求较严。
2、真空度大于69CMHG,否则易产生虚光线细现象。
3、赶气,赶气须在真空度大于69CMHG以上且赶气力度要均匀,否则会产生焊盘与孔位偏移,造成崩孔现象。
4、曝光,曝光时轻按快门,曝光停止后须立即取出板件,否则灯内余光长时间曝光,造成显影后出现PCB板面余胶。
五、显影参数控制
1、温度30±2℃。
2、Na2CO3浓度 1±0.2%
3、喷淋压力 1.5-2.0kg/cm2
4、水洗压力 1.5-2.0kg/cm2
5、干燥温度 45~55℃
6、传送速度 显影点50±5%控制
六、重氮片
1、重氮片曝光:5000W曝光灯管,曝光能量:21级曝光尺1~2格透明。
2、重氮片显影:20%氨水、温度控制48~65℃,显影3-7次至线路呈深棕色为止。
3、影响重氮片质量因素及防止
a. 线细
①由光反射及衍射造成;可用纯黑色不反光平底板垫于重氮片下进行曝光消除此现象。
②曝光能量过强;适当降低曝光能量。
b. 显影后出现斑点(俗称鬼影)曝光能量不足,适当延长曝光时间。
c. 颜色偏淡 由以下因素构成
①温度不够;待调整温度升至范围值再显影。
②氨水过期,浓度降低,更换氨水。
③显影时间太短;重新显影2-3遍。
④重氮片曝光后放置时间较长;线路部分已曝光,废弃重做。
上一篇:多种不同工艺的PCB流程简介 |
下一篇:贴片胶涂布工艺技术的研究 |