芯片反向设计基本步骤

芯片反向设计大致分四部分：
1. 芯片评估，解剖，拍照
通过去层，染色等技术还原芯片各层物理图像，结合光学显微镜或电子显微镜，进行图像逐层拍照采集芯片图像，拼接图像，得到每层的整体图像。
2. 电路提取
结合多晶层，铝层图像的物理显示，提取电路单元，再根据铝层图像，完成单元间的连接，得到门级的电路。
3.电路整理，仿真，验证
平面化门级的电路无法理解原芯片的模块功能和设计理念的，将平面化电路图整理成为可反映芯片原始设计思想的易于理解的层次化电路，利用仿真软件对整理的电路图进行仿真，验证功能。
4.版图设计
配合客户选取尽可能与参考芯片设计工艺一致或接近的目标芯片代工工艺线，按照验证后的电路图，结合工艺的设计规则设计芯片的版图，并确保最终得到的版图数据可以满足目标工艺线的DRC和LVS检查。版图设计完毕后将交付GDSII格式文件（该格式为工业标准版图格式）供掩模厂制作掩模板，晶圆厂根据掩模板进行芯片生产。